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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
12.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
59
En -79% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
33
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
2994
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
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Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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