RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
12.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
59
Intorno -79% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
33
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
2994
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link