RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Compara
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
40
En -25% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
32
Velocidad de lectura, GB/s
13.6
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2035
2706
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Informar de un error
×
Bug description
Source link