RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
40
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2035
2706
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link