RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
104
Wokół strony -206% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2616
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link