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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
40
En -5% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
38
Velocidad de lectura, GB/s
13.6
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2035
2944
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Crucial Technology CT51264BA160B.M16F 4GB
Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
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