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Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Compara
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Puntuación global
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
24
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
23
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2222
3147
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
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