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Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
比较
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
总分
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
总分
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
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规格
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Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
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Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
24
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
24
23
读取速度,GB/s
14.2
16.8
写入速度,GB/s
9.5
11.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2222
3147
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
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