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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
InnoDisk Corporation 16GB

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs InnoDisk Corporation 16GB

Puntuación global
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Puntuación global
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InnoDisk Corporation 16GB

InnoDisk Corporation 16GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13.6 left arrow 7.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.3 left arrow 8.2
    Valor medio en las pruebas
InnoDisk Corporation 16GB Razones a tener en cuenta
InnoDisk Corporation 16GB
Informar de un error
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    38 left arrow 40
    En -5% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 10600
    En 1.6 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    40 left arrow 38
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.6 left arrow 7.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.3 left arrow 8.2
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2035 left arrow 2163

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Comparaciones de la memoria RAM

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB

InnoDisk Corporation 16GB Comparaciones de la memoria RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones

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Memoria RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Memoria RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Memoria RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Memoria RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Memoria RAM
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Memoria RAM
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Memoria RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Memoria RAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Memoria RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Memoria RAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Memoria RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
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