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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Compara
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Puntuación global
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
57
75
En -32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.5
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.4
2,072.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
75
57
Velocidad de lectura, GB/s
2,730.3
9.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,072.7
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
858
2213
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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