RAM-Vergleich Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB

Gesamtnote

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

57 75

Rund um -32% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

9.5 2

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

7.4 2,072.7

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 5300

Rund um 3.62 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit

no data 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

858 2213

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns