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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
総合得点
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
総合得点
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
相違点
仕様
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考慮すべき理由
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
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考慮すべき理由
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
57
75
周辺 -32% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
9.5
2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
7.4
2,072.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
5300
周辺 3.62 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
75
57
読み出し速度、GB/s
2,730.3
9.5
書き込み速度、GB/秒
2,072.7
7.4
メモリ帯域幅、mbps
5300
19200
Other
商品説明
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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