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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB

総合得点
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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

総合得点
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB 考慮すべき理由
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB 考慮すべき理由
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    57 left arrow 75
    周辺 -32% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    9.5 left arrow 2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.4 left arrow 2,072.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 5300
    周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    75 left arrow 57
  • 読み出し速度、GB/s
    2,730.3 left arrow 9.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,072.7 left arrow 7.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    no data left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
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