RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Сравнить
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB против Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
57
75
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.5
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.4
2,072.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
57
Скорость чтения, Гб/сек
2,730.3
9.5
Скорость записи, Гб/сек
2,072.7
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2213
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Сравнения RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link