RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Сравнить
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB против Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
57
75
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.5
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.4
2,072.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
57
Скорость чтения, Гб/сек
2,730.3
9.5
Скорость записи, Гб/сек
2,072.7
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2213
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Сравнения RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link