RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
57
75
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.5
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.4
2,072.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
57
Prędkość odczytu, GB/s
2,730.3
9.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,072.7
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
2213
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link