RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
57
75
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.5
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.4
2,072.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
57
Prędkość odczytu, GB/s
2,730.3
9.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,072.7
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
2213
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link