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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Compara
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
39
En -56% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
25
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1749
2368
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Corsair CMT32GX5M2B5200C40 16GB
Corsair CMT32GX5M2X5600C36 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
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