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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
37
En -61% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.7
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.2
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
23
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
19.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
18.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
4001
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
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G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
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