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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Puntuación global
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
40
En -38% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.6
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2035
2724
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
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Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
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