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Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Compara
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Puntuación global
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
56
En 29% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.1
13.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
56
Velocidad de lectura, GB/s
13.1
20.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2148
2455
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston TSB16D3LS1KFG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
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