RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сравнить
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
56
Около 29% меньшая задержка
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.1
13.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
56
Скорость чтения, Гб/сек
13.1
20.1
Скорость записи, Гб/сек
8.5
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2148
2455
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB Сравнения RAM
Kingston TSB16D3LS1KFG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link