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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Compara
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
40
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
37
Velocidad de lectura, GB/s
13.6
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2035
2973
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
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