RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Compara
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB vs SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
59
72
En -22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9
4.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.6
2.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
72
59
Velocidad de lectura, GB/s
4.9
9.0
Velocidad de escritura, GB/s
2.9
7.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
776
2128
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5316-033.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link