Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB vs SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB

総合得点

Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB

Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB

総合得点

SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB

相違点仕様コメント

相違点

Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB

考慮すべき理由
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB

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SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB

考慮すべき理由
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

59 72

周辺 -22% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

9 4.9

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

7.6 2.9

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 10600

周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB

SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

72 59
読み出し速度、GB/s

4.9 9.0
書き込み速度、GB/秒

2.9 7.6
メモリ帯域幅、mbps

10600 17000

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

776 2128

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB

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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB

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SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB

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Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

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Kingston 9965662-015.A00G 16GB

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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

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G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB

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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

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Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB

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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

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Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB

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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

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Hypertec G2RT-4AFT00 16GB

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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB

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Micron Technology 16G3200CL22 16GB

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