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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB

総合得点
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

総合得点
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB 考慮すべき理由
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 41
    周辺 -41% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    19.6 left arrow 13.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    17.2 left arrow 8.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    41 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    13.9 left arrow 19.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.5 left arrow 17.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2385 left arrow 4072

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メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
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メモリRAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
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SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
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A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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