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NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
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NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
総合得点
NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
31
周辺 6% 低遅延
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
11.2
8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
7.6
4.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
12800
10600
周辺 1.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
29
31
読み出し速度、GB/s
8.0
11.2
書き込み速度、GB/秒
4.4
7.6
メモリ帯域幅、mbps
10600
12800
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 4 6 8
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1286
2026
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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