RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Сравнить
NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
-->
Средняя оценка
NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
31
Около 6% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
11.2
8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.6
4.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
12800
10600
Около 1.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
29
31
Скорость чтения, Гб/сек
8.0
11.2
Скорость записи, Гб/сек
4.4
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
12800
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 4 6 8
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1286
2026
NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Сравнения RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link