RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
13.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
104
Около -225% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
16.9
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2774
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link