RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Сравнить
Kingston HP669238-071-HYC 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
25
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.4
11.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.2
5.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
18
Скорость чтения, Гб/сек
11.3
20.4
Скорость записи, Гб/сек
5.5
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1913
3814
Kingston HP669238-071-HYC 4GB Сравнения RAM
Kingston HP698650-154-KEB 4GB
Kingston 9905584-037.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link