RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
41
Около -71% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
24
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
16.0
Скорость записи, Гб/сек
7.1
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1484
2925
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU5-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link