RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Confronto
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
41
Intorno -71% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
10.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
7.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
24
Velocità di lettura, GB/s
10.1
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.1
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1484
2925
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link