RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
44
Intorno -57% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.4
11.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.6
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
28
Velocità di lettura, GB/s
11.2
14.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
8.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2293
2489
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Confronto tra le RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5471-034.A00LF 4GB
Unifosa Corporation HU564403EP0200 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link