RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
44
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
2489
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link