NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

Pontuação geral
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NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    29 left arrow 31
    Por volta de 6% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    11.2 left arrow 8
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    7.6 left arrow 4.4
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 10600
    Por volta de 1.21 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latência em PassMark, ns
    29 left arrow 31
  • Velocidade de leitura, GB/s
    8.0 left arrow 11.2
  • Velocidade de escrita, GB/s
    4.4 left arrow 7.6
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 4 6 8 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1286 left arrow 2026
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