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NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
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NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Pontuação geral
NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
31
Por volta de 6% menor latência
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.2
8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.6
4.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
12800
10600
Por volta de 1.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
29
31
Velocidade de leitura, GB/s
8.0
11.2
Velocidade de escrita, GB/s
4.4
7.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
12800
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 4 6 8
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1286
2026
NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Comparações de RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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