Confronto tra le RAM NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

Punteggio complessivo

NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

29 31

Intorno 6% latenza inferiore

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

11.2 8

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

7.6 4.4

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

12800 10600

Intorno 1.21 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 4 6 8 PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock

7-7-7-20 / 1333 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

1286 2026

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns