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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Confronto
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.3
11.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.8
7.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
44
Intorno -42% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
44
31
Velocità di lettura, GB/s
12.3
11.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
7.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1977
2026
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB Confronto tra le RAM
NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
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