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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

Puntuación global
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    12.3 left arrow 11.2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    7.8 left arrow 7.6
    Valor medio en las pruebas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    31 left arrow 44
    En -42% menor latencia

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    44 left arrow 31
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.3 left arrow 11.2
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.8 left arrow 7.6
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1977 left arrow 2026

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Memoria RAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
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Memoria RAM
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
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Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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Memoria RAM
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
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Memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Memoria RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
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Memoria RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
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