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NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Compara
NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Puntuación global
NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
31
En 6% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.2
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.6
4.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
En 1.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
29
31
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
11.2
Velocidad de escritura, GB/s
4.4
7.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
12800
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 4 6 8
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1286
2026
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
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