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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Compara
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
41
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
35
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2016
3306
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
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