RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB против Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
41
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
16.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2016
3306
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link