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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
28
En -12% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
25
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2112
2655
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kllisre D4 8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
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