Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB

Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB vs Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB

Puntuación global
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Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB

Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB

Puntuación global
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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB

Diferencias

  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 12800
    En 1.33% mayor ancho de banda
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    25 left arrow 33
    En -32% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    15.2 left arrow 10.4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.4 left arrow 5.5
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR4 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    33 left arrow 25
  • Velocidad de lectura, GB/s
    10.4 left arrow 15.2
  • Velocidad de escritura, GB/s
    5.5 left arrow 9.4
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 12800
Other
  • Descripción
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1806 left arrow 2415
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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