Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB

Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB vs Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB

总分
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Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB

Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB

总分
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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB

差异

  • 更高的内存带宽,mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33% 更高的带宽
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    25 left arrow 33
    左右 -32% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    15.2 left arrow 10.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    9.4 left arrow 5.5
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时,ns
    33 left arrow 25
  • 读取速度,GB/s
    10.4 left arrow 15.2
  • 写入速度,GB/s
    5.5 left arrow 9.4
  • 内存带宽,mbps
    17000 left arrow 12800
Other
  • 描述
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • 时序/时钟速度
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1806 left arrow 2415
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RAM 1
RAM 2

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