RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Porównaj
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB vs Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
33
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
5.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
33
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.4
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
12800
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1806
2415
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0WS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link