Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB

Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB против Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB

Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB

Различия

  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 12800
    Около 1.33% выше полоса пропускания
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    25 left arrow 33
    Около -32% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    15.2 left arrow 10.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.4 left arrow 5.5
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    33 left arrow 25
  • Скорость чтения, Гб/сек
    10.4 left arrow 15.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    5.5 left arrow 9.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    17000 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1806 left arrow 2415
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения