RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Сравнить
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB против Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Средняя оценка
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
33
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.2
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.4
5.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR3
Задержка в PassMark, нс
33
25
Скорость чтения, Гб/сек
10.4
15.2
Скорость записи, Гб/сек
5.5
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
12800
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1806
2415
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0WS 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link