Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB против Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB

Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB

Средняя оценка

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB

Причины выбрать
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33% выше полоса пропускания

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB

Причины выбрать
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 33

Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.2 10.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.4 5.5

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR3
Задержка в PassMark, нс

33 25
Скорость чтения, Гб/сек

10.4 15.2
Скорость записи, Гб/сек

5.5 9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

17000 12800

Other

Описание

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1806 2415

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB

Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB

Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB

Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Kingston 9905625-076.A00G 8GB

Kingston 9905625-076.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB

A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB

Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB

Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB

UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Kingston 9905670-012.A00G 8GB

Kingston 9905670-012.A00G 8GB

модули RAM

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G

модули RAM