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Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB

Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB vs Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB

総合得点
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Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB

Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB

総合得点
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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33% 高帯域
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB 考慮すべき理由
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 33
    周辺 -32% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.2 left arrow 10.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.4 left arrow 5.5
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    33 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    10.4 left arrow 15.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.5 left arrow 9.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1806 left arrow 2415

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