Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB

Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB vs Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB

Punteggio complessivo
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Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB

Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB

Punteggio complessivo
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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB

Differenze

  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 12800
    Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    25 left arrow 33
    Intorno -32% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    15.2 left arrow 10.4
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.4 left arrow 5.5
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    33 left arrow 25
  • Velocità di lettura, GB/s
    10.4 left arrow 15.2
  • Velocità di scrittura, GB/s
    5.5 left arrow 9.4
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    17000 left arrow 12800
Other
  • Descrizione
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1806 left arrow 2415
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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