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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
54
Intorno -116% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.2
9.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.4
8.1
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
54
25
Velocità di lettura, GB/s
9.2
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
9.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2105
2415
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0WS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
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