RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
54
Autour de -116% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.2
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.4
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
54
25
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
9.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
12800
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
2415
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0WS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link