RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
54
Wokół strony -116% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
54
25
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
12800
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2415
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0WS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link