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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
28
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2112
3078
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
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