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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
51
En -96% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
26
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
3078
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
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Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
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